Canon, imagePROGRAF PRO yazıcılarının yeni serisini tanıttı

Sıradaki içerik:

Canon, imagePROGRAF PRO yazıcılarının yeni serisini tanıttı

e
sv

Samsung süper hızlı DDR5 bellek yongasını tanıtacak

05 Şubat 2024 01:28

Samsung süper hızlı DDR5 bellek yongasını tanıtacak – pin başına 8.0Gbps, 32Gb modül GDDR5X hızlarına yaklaştı ve 128GB bellek modüllerinin ortaya çıkması muhtemel

Samsung’un yaklaşan 2024 IEEE Uluslararası Katı Hal Devre Konferansı’nda bir dizi son teknoloji bellek ürününü tanıtacağı bildirildi.

Güney Koreli teknoloji devi, Yüksek Yoğunluklu Bellek ve Arayüzler oturumunda yer alacak olan ve daha önce duyurulan GDDR7 belleğinin yanı sıra süper hızlı bir DDR5 bellek yongasını da tanıtacak.

Yüksek kapasiteli 32 Gb DDR5 DRAM, aynı paket boyutunda 16 Gb DDR5 DRAM’in iki katı kapasite sunmak için 12 nanometre (nm) sınıfı işlem teknolojisi kullanılarak geliştirildi.

Daha düşük güç tüketimi
Samsung konferansta tanıtacağı DDR5 yongası hakkında çok fazla bilgi vermemiş olsa da, DDR5’in I/O hızının pin başına 8000Mbps’ye kadar çıktığını ve Samsung’un DRAM ürünleri için özel olarak tasarlanmış 5. nesil 10nm sınıfı döküm düğümü kullanılarak bir Simetrik-Mozaik Mimarisi ile oluşturulduğunu biliyoruz.
Yeni DDR5 ürünü 2023 yılı sonunda ilk kez duyurulduğunda, Samsung Electronics DRAM Ürün ve Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı SangJoon Hwang şunları söyledi: “12nm sınıfı 32Gb DRAM’imizle, 1 terabayta (TB) kadar DRAM modüllerini mümkün kılacak bir çözümü güvence altına aldık ve yapay zeka ve büyük veri çağında artan yüksek kapasiteli DRAM ihtiyacını karşılamak için ideal bir konumda olmamızı sağladık. Bellek teknolojisinin sınırlarını aşmak için farklılaştırılmış süreç ve tasarım teknolojileri aracılığıyla DRAM çözümleri geliştirmeye devam edeceğiz.”

16Gb DRAM kullanılarak üretilen önceki DDR5 128GB DRAM modülleri, Through Silicon Via (TSV) işlemini gerektiriyordu. Ancak Samsung’a göre yeni 32Gb DRAM, TSV işlemi olmadan 128GB’lık bir modülün üretilmesine olanak tanıyarak güç tüketimini yaklaşık %10 oranında azaltıyor. Bu da yeni teknolojiyi, yapay zekanın giderek artan enerji talepleriyle mücadele eden veri merkezleri için hoş bir çözüm haline getiriyor.

Samsung’un en yeni DDR5 teknolojisi, tek sıralı konfigürasyonlarda DDR5-8000 hızlarında 32 GB ve 48 GB DIMM’lerin oluşturulmasına olanak tanıyor ve ayrıca çift sıralı konfigürasyonlarda 64 GB ve 96 GB DIMM’leri destekliyor. Konferans başladığında yeni bellekler hakkında daha fazla bilgi edineceğimizden kuşkumuz yok.

  • Site İçi Yorumlar

Bu yazı yorumlara kapatılmıştır.

error: Content is protected !!