Samsung: HBM Üretimini Üç Katına Çıkarmayı Planlıyor

Samsung, bu yıl HBM çip üretimini üç katına çıkarmayı beklediğini açıkladı.

Samsung’un DRAM Ürün ve Teknoloji Ekibi Başkanı ve Genel Müdür Yardımcısı SangJoon Hwang, Memcon 2024’te yaptığı konuşmada, “Halihazırda seri üretimde olan üçüncü nesil HBM2E ve dördüncü nesil HBM3’ün ardından, yılın ilk yarısında 12 katmanlı beşinci nesil HBM ve 32 gigabit tabanlı 128 GB DDR5 ürünlerini büyük miktarlarda üretmeyi planlıyoruz” dedi.

“Bu ürünlerle, yapay zeka çağında yüksek performanslı, yüksek kapasiteli bellek alanındaki varlığımızı güçlendirmeyi umuyoruz.”

Snowbolt

Samsung, daha önce CES 2024’te açıkladığı 2,5 kat projeksiyona kıyasla bu yıl HBM çip üretim hacminde 2,9 kat artış planlıyor. Şirket ayrıca gelecekteki HBM üretimini detaylandıran bir yol haritası paylaşarak 2023 yılına kıyasla 2026 yılına kadar HBM sevkiyatlarında 13,8 kat artış öngörüyor.

Samsung Memcon 2024’ü, şu anda müşterilerle birlikte örneklenmekte olan HBM3E 12H çipini – endüstrinin ilk 12 yığınlı HBM3E DRAM’i – sergilemek için kullandı. Bu, Micron’un 24GB 8H HBM3E’sinin önümüzdeki aylarda seri üretime geçmesini takip edecek.

The Korea Economic Daily’ye göre Samsung ayrıca HBM4 ve şirketin “Snowbolt” adını verdiği altıncı nesil HBM yongasına ilişkin planlarından da bahsetti. Samsung, gelişmiş verimlilik için bir kontrol cihazı olan tampon kalıbını yığılmış belleğin alt katmanına uygulamayı planladığını söylüyor. Ancak bu gelecek nesil HBM’nin ne zaman gün ışığına çıkacağı konusunda herhangi bir bilgi vermedi.

Dünyanın en büyük bellek yonga üreticisi olmasına rağmen Samsung, HBM yonga segmentinde ezeli rakibi SK Hynix’in gerisinde kaldı ve üstün işlem hızı nedeniyle artan yapay zeka yarışında çok önemli bir bileşen olan HBM’nin üretimini artırmak için büyük yatırımlar yapmak zorunda kaldı.

Translated with DeepL.com (free version)