Samsung rekor kıran 280 katmanlı QLC NAND flash belleği

Samsung rekor kıran 280 katmanlı QLC NAND flash bellek yongasını sergileyecek – daha ucuz ve yüksek kapasiteli SSD’ler bekleniyor ancak dayanıklılık bir bilinmez olarak kalıyor

Samsung, yaklaşan Uluslararası Katı Hal Devreleri Konferansı’nda (ISSCC) bir dizi yeni ürün tanıtmaya hazırlanıyor; bunlardan biri de daha uygun fiyatlı, daha yüksek kapasiteli katı hal sürücülerinin (SSD) yolunu açacak çığır açan 280 katmanlı QLC V9 NAND flash bellek yongası olacak.

Samsung ve diğer üreticilerin konferansta sergileyecekleri diğer tüm ürünlerde olduğu gibi, ayrıntılar henüz bilinmiyor, ancak Güney Koreli teknoloji devinin “28.5Gb/mm2 Alan Yoğunluğuna ve 3.2Gb/s Yüksek Hızlı IO Oranına sahip 280 Katmanlı 1Tb 4b/hücre 3D-NAND Flash Bellek” sunacağını biliyoruz.

Bundan çıkarılacak en önemli sonuç rekor kıran 280 katman ve 28.5Gb/mm² yoğunluktur. Bu, 19,8 Gb/mm²’de 232 katmanlı bir NAND sunan mevcut endüstri lideri Çinli Yangtze Memory Technologies’i (YMTC) geçeceği anlamına geliyor. Samsung’un yeni ürünü yaklaşık %44 daha yoğun.

Daha büyük SSD’ler ufukta
Hız da dikkat çekicidir. Samsung’un yeni nesil V9 QLC NAND’ını ilk duyduğumuzda, bu tür diğer ürünlerle aynı olan 2.4Gb/s aktarım hızına sahipti, ancak sunumda bu hız 3.2Gb/s’ye yükseltildi ve PCIe SSD’lerde kullanım için yeterince hızlı hale getirildi.
Ancak Samsung’un bu atılımının zorlukları da yok değil. QLC sürücüler bir SLC tamponu kullandığından, yüksek yoğunluklu bellek sürekli veri aktarımları için maksimum verimi koruyamaz. Bu tampon dolduğunda, aktarım hızları önemli ölçüde düşer. Bu da genellikle QLC NAND sürücülerin performans yerine kapasiteye öncelik verdiği anlamına gelir.

Bu yüksek yoğunluklu çipin potansiyel kapasiteleri henüz bilinmiyor, ancak Tom’s Hardware 8TB’lık M.2 sürücüleri veya (bir tuz tanesi ile alın) daha da ötesini mümkün kılabileceğini öne sürüyor. Şu anda Samsung’un en büyük tüketici sürücüsü 4TB, bu nedenle tüketici SSD kapasitelerinde devrim yaratma yolunda büyük bir adım olacaktır.

Samsung yeni bir NAND ürünü sergileyen tek üretici değil. Aynı etkinlikte, daha sonra aynı oturumda Micron’un “300Mb/s Yazma Verimi ile 2YY Katman Teknolojisinde 1TB Yoğunluklu 3b/Hücre 3D-NAND Flash” için bir girişi var.